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亞洲經(jīng)濟(jì)發(fā)展協(xié)會走進(jìn)中科潞安

發(fā)布時(shí)間:

2025-03-20

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摘要

中國亞洲經(jīng)濟(jì)發(fā)展協(xié)會常務(wù)副會長、中央統(tǒng)戰(zhàn)部辦公廳原常務(wù)副主任申占華一行蒞臨中科潞安參觀交流。

近日,中國亞洲經(jīng)濟(jì)發(fā)展協(xié)會常務(wù)副會長、中央統(tǒng)戰(zhàn)部辦公廳原常務(wù)副主任申占華一行蒞臨中科潞安參觀交流,公司常務(wù)副總經(jīng)理賀帥熱情接待了來訪嘉賓。

一進(jìn)入公司,協(xié)會領(lǐng)導(dǎo)們便徑直來到中科潞安的宣傳展廳。賀總?cè)滔ば呐阃v解,著重介紹了公司自主研發(fā)的深紫外 LED 芯片、封裝燈珠、模組及應(yīng)用產(chǎn)品。中科潞安的產(chǎn)品已在空氣凈化、水殺菌、醫(yī)療消毒等多個(gè)領(lǐng)域生根發(fā)芽,并成功實(shí)施了眾多應(yīng)用案例。期間,協(xié)會領(lǐng)導(dǎo)們對中科潞安在紫外LED產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域取得的顯著成績給予了高度評價(jià),并與賀總就技術(shù)應(yīng)用前景、市場拓展等核心議題展開了深入而富有成效的探討。

 

展望未來,中科潞安與中國亞洲經(jīng)濟(jì)發(fā)展協(xié)會有望在資源整合、技術(shù)推廣等方向開展協(xié)作,推動紫外 LED 產(chǎn)業(yè)躍上新臺階,為紫外LED行業(yè)的蓬勃發(fā)展開創(chuàng)更加廣闊的新局面。

 

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紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED,LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355~405 nm時(shí)稱為近紫外LED,而短于280 nm時(shí)稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產(chǎn)中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV,對應(yīng)的發(fā)光波長為365 nm,剛好處于近紫外波段范圍,因此,近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴(kuò)大帶隙,獲得更短的發(fā)光波長。

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近十年來,隨著紫外固態(tài)器件的外延生長、制備工藝以及封裝技術(shù)的快速發(fā)展,基于日盲區(qū)LED的紫外光通信光源憑借高帶寬、易于攜帶、無毒環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)逐步取代了傳統(tǒng)的汞燈、氣體放電燈等光源。Micro-LED是新興的工藝技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)更大更均勻的注入電流密度,有利于研究大注入狀態(tài)LED物理現(xiàn)象。特別是近幾年,UVC Micro-LED在紫外光通信、顯示等領(lǐng)域中展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景,引起了人們的關(guān)注和研究熱情。

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